當需要更多的電機功率（=扭矩）時，通過施加更大的電流來增加它。然而，熱量的產生會同時增加。
本節說明電機和驅動器 IC 發熱的圖像。
1. 電機發熱
銅損：P = 由電機線圈的繞組電阻和流過的電流產生的功率損耗 (I2R)。
鐵損：由磁場及其變化引起的損耗。有磁滯損耗和磁體因磁場變化而產生渦流損耗。渦流損耗的產生原理與電磁爐（=微波爐）在烹飪器具中產生熱量的原理相同。在電動機中，通過堆積薄鐵板（層壓鋼板）可以減少渦流損耗。
機器損耗：由於電機中的摩擦或空氣阻力造成的損耗。比例很小。
在這些損耗中，機器損耗的比例很小，當高速旋轉可能需要層壓鋼板的中型到大型電機時，鐵損變得顯著。
對於 NPM 中 PM 型等微型電機，銅損佔熱量的很大一部分。
步進電機的銅耗是由電機線圈的電阻分量R和流過的電流產生的電能損耗。然而，由於步進電機具有 A 相和 B 相兩個線圈，因此兩個線圈的電力損耗會變成熱量。 *1
[PCLOSS = (I2 × R) × 2] [圖 1]
另外，電機所能承受的允許電功率幾乎是由大小決定的，從電機的額定電壓和繞組電阻可以粗略推算出允許電功率。
[PMOTOR ≒ (V2 ÷ R) × 2]
但是，這個允許的電功率如果不輻射熱量會導致電機表面溫度很高，因此必須考慮這個溫度問題。
熱輻射和電流減少對抑制熱量有效，特別是功率與電流的平方成正比，因此將電流減少到 70% 會產生約 1/2 的熱量，而電流減半會產生約 1/2 的熱量。 1/4。
*1
在 2-2 相勵磁中，電流施加到兩個線圈：A 相和 B 相。
在1-2相勵磁中，電流依次流過一個線圈和兩個線圈。
在微步進中，電流流過兩個線圈，但電流的比例發生變化，因此與有效電流的計算更接近。
2.驅動IC發熱
驅動 IC 的大部分熱量是在功率元件中產生的。
FET：當 FET 導通且電流產生的功率損耗 (P = I2R) 時，漏極和源極之間的電阻值。
晶體管（雙極）：由集電極-發射極電壓和電流產生的功率損耗 (P=VI)。
二極管：由二極管的正向電壓和正向電流產生的功率損耗 (P=VI)。
此外，開關損耗會導致發熱。 【圖二】
近年來，FET ON 電阻低至 0.1 至 0.4 Ω 左右，大多數驅動 IC 使用 FET 元件。
例如，當施加 IM=1A 的電流時，假設晶體管的集電極-發射極電壓的飽和電壓：VCE = 0.6V 和 FET ON 電阻：RDS = 0.2Ω，
晶體管損耗：1A × 0.6 V = 0.6 W，
FET 損耗：1A2 × 0.2 Ω = 0.2 W
現在，由於功率損耗更低，FET 的使用越來越多。 *2
過去，再生電流是通過與 FET 並聯的二極管再生的，但是，最近越來越多的 IC 越來越多地使用，通過使再生電流通過 FET 以小於功率損耗的損耗（P= VＦ × I)F 再生時的二極管。 【圖3】
驅動器 IC 由單極驅動器和雙極驅動器組成。在計算雙極驅動器的功率損耗時，您必須通過電流通過的上下 FET 導通電阻的組合電阻來計算 [圖 4]。由於有 A 相和 B 相兩個線圈，兩個電路的功率損耗在兩個驅動 IC 中都變成了熱量。
[PLOSS = (I2 × RDS) × 2]
驅動 IC 的允許發熱量由考慮 IC 規格降額的功率耗散 (W) 決定，並根據工作溫度、環境溫度、散熱條件等計算得出。 最後，您將操作電機在各種條件下並測量溫度以判斷其有效性。 *3
與電機類似，散熱和降低電流可有效減少驅動 IC 中的熱量。電流降到 70% 時發熱約為 1/2，電流減半時發熱約為 1/4。
*2因為功率與電流的平方成正比，所以晶體管可能有利於大電流，例如使用 IGBT。
*3驅動IC有目標電機電流，用大電流驅動IC驅動小電流電機時，可能難以調整該電流。在這種情況下，我們建議事先與 IC 製造商確認。